SEM与TEM成像原理区别

        SEM与TEM的成像原理有什么不同的，下面就跟着铄思百小编来了解一下吧。

        首先说的是SEM的成像原理，SEM主要由电子束打在样品表面后所产生的二次电子；背散射电子；俄歇电子等，通过成像系统得到的图像。主要有以下几个原理：

l 二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。

        由于原子核和外层价电子间的结合能很小，因此外层的电子比较容易和原子脱离。当原子的核外电子从入射电子获得了大于相应的结合能的能量后，可离开原子而变成自由电子。

        如果这种散射过程发生在比较接近样品表层，那些能量尚大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出，变成真空中的自由电子，即二次电子。

        二次电子产额随原于序数的变化不明显，它主要决定于表面形貌。

        二次电子对试样表面状态非常敏感,能有效地显示试样表面的微观形貌。扫描电子显微镜的分辨率通常就是二次电子分辨率。因此一般所说的电子显微镜照片即是指收集到的二次电子信号转化成的图象,简称形貌像。

l 背散射电子是指被固体样品原子反射回来的一部分入射电子，其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。

背散射电子成像分辨率一般为50-200nm（与电子束斑直径相当）。

背散射电子及二次电子的产额随原子序数的增加而增加，但二次电子增加的不明显。而背散射电子作为成像信号不仅能分析形貌特征，也可以用来显示原子序数衬度，定性地成分分析。

原子序数高的元素，背散射能力强。

因此不同的物质相也具有不同的背散射能力，用背散射电子的测量亦可以大致的确定材料中物质相态的差别。背散射电子像亦称为成分像。

透射电子显微镜的成像原理可分为三种情况：

　　吸收像：当电子射到质量、密度大的样品时，主要的成相作用是散射作用。样品上质量厚度大的地方对电子的散射角大，通过的电子较少，像的亮度较暗。早期的透射电子显微镜都是基于这种原理TEM透射电镜。

　　衍射像：电子束被样品衍射后，样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分不同的衍射能力，当出现晶体缺陷时，缺陷部分的衍射能力与完整区域不同，从而使衍射钵的振幅分布不均匀，反映出晶体缺陷的分布。

　　相位像：当样品薄至100A以下时，电子可以穿过样品，波的振幅变化可以忽略，成像来自于相位的变化。

        以上就是有关SEM与TEM成像原理区别的知识了，如果有其他疑问或者测试需求，可以网络咨询铄思百检测实验室技术工程师。

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