IPB072N15N3G-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB072N15N3G

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IPB072N15N3G-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB072N15N3G

型号：IPB072N15N3G

品牌：英飞凌

封装：TO-263

最大漏源电流：31A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：99mΩ

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的IPB072N15N3G MOS管

  ASEMI代理英飞凌品牌IPB072N15N3G是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IPB072N15N3G的最大漏源电流31A，漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

IPB072N15N3G,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

IPB072N15N3G具体参数为：最大漏源电流：31A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-263