12.4内存控制器与SDRAM_SDRAM的设置
本节将讲解如何设置SDRAM，如果想对内存有更多的了解，可以在网上搜索看下这篇文档“高手进阶_终极内存技术指南——完整/进阶版”。
在JZ2440上接有64M的SDRAM，如果想要使用SDRAM，需要对内存控制器做一些设置。 在前面第一节讲到，CPU将数据或地址发给内存控制器，内存控制器再去访问外部的SDRAM，因此设置内存控制器就说本节的核心。
如图是SDRAM存储结构逻辑图：
SDRAM总共有4个块(Banks)，可以认为每个块就是一个表格，里面的每个格子表示的是16bit数据。
问题1：怎样访问里面的某个格子呢？
1. 首先发出一个片选信号，选中整个芯片;
2. 发出Bank地址，选择是哪一个Bank(块，即表格);
3. 发出行地址;
4. 最后发出列地址，才能选中是个格子;
问题2：那么多的信号有谁发出呢？
由内存控制器发出，所以我们需要设置内存控制器，CPU只是简单的执行读写内存的命令，其他的都交给内存控制起来处理。 例如 ：
1. CPU把0x30000000这个地址发给内存控制器，内存控制器根据这个地址，判断属于哪个范围，然后发出相应的片选信号。
2. 根据类型(比如SDRAM)拆分成三部分：发出Bank地址、发出行地址、发出列地址。
对于上面的三个，怎样拆分呢？
行地址线有几条，列地址线有几条，都要设置内存控制器里面相关寄存器。
3. 读数据
综上所述：对SDRAM的访问可以分为如下步:
1. CPU发出的片选信号nSCS6有效，它选中SDRAM芯片。
2. SDRAM中有4个L-Bank，需要两根地址信号来选中其中之一，根据原理图，可知使用ADDR24，ADDR25作为L-Bank的选择信号。
3. 对被选中的芯片进行统一的行/列（存储单元）寻址。
根据SDRAM芯片的列地址线数目设置CPU的相关寄存器后，CPU就会从32位的地址中自动分出L_Bank片选信号，行地址信号，列地址信号，然后先后发出行地址信号，列地址信号。L_Bank选择信号在发出行地址信号的同时发出，并维持到列地址信号结束。
根据原理图可知：
地址、列地址共用地线ADDR2—ADDRI4（BANK6位宽为32，ADDRO/I没有使用），使用nSRAS、nSCAS两个信号来区分它们。
比如本开发板中，使用两根地址线ADDR24、ADDR25作为L-Bank的选择信号：SDRAM芯片K4s5m632的行地址数为13，列地址数为9，所以当nSRAS信号有时，ADDR2—ADDR14上发出是行地址信号，它对应32位地址空间的b可23m]：当nSCAS信号有效时，ADDR2—ADDR10上发出的是列地址信号，它对应32位地址空间的bit[0：2]；由于BANK6以32位的宽度外接DRAM，ADDR0、ADDR1恒为0，不参与译码。
4. 找到了存储单元后，被选中的芯片就要进行统一的数据传输了。
开发板中使用两片16位的SDRAM芯片并联组成32位的位宽，与CPU的32根数据线(DATA0—DATA31)相连。 BANK6的起始地址为0x30000000，所以SDRAM的访问地址为0x30000000～低0x33FFFFFF，共64MB。
2440内存控制器设置：
内存控制器共有13个寄存器，
BANK0--BANK5只需要设置BWSCON和BANKCONx(x为0～5）两个寄存器；
BANK6、BANK7外接SDRAM时，除BWSCON和BANKCONx（x为6、7）外，还要设置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等4个寄存器。
下面分类说明各个寄存起的设置。
1.位宽和等待控制寄存器BWSCON(BUSWIDTH&WAITCONTROLREGISTER)
BWSCON中每4位控制一个BANK，最高4位对应BANK7(没有使用)、接下来4位对应BANK6。
（1）ST6[27]: 启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0：对于SRAM此位为1。
（2）WS6[26]：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0。
（3）DW6[25:24]：使用两位来设置相应BANK的位宽，0b00对应8位，0b01对应16位，0b10对应32位(开发板用的就是32位的)，0b11表示保留。
因此BWSCON寄存器的值为：0x22000000。
2. BANK控制寄存器BANKCON6（BANKCONTROLREGISTER）
在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM或SDRAM。
(1)MT[16:15]：用于设置本BANK外接的是ROM/SRAM还是SDRAM,SRAM：0b00，SDRAM：0b11(开发板使用的是SDRAM)。
当MT[16:15]设置为00时，此寄存器与BANKC0N0、BANKCON5类似，不再赘述。
当MT[16:15]设置为11时，此寄存器其他值如下设置。
（2）Trcd[3:2]：行地址和列地址间隔多长时间，看芯片手册时间间隔是20ns，本来开发板的HCLK是100MHZ,clocks为10ns,所以设置为推荐值0b00(2clocks)。
（3）SCAN[1:0]：SDRAM的列地址位数，对于本开发板使用的SDRAMK4S561632。列地址位数为9，所以SCAN=0b010如果使用其他型号的SDRAM，需要查看其数据手册。来决定SCAN的取值。0b00表示8位，0b01表示9位，0b10表示10位。
综上所述，本开发板中BANKCON6设为0x018001。
3. 刷新控制寄存器REFRESH(REFRESHCONTROLREGISTER)
（1)REFEN[23]：0=禁止SDRAM的刷新功能，1：开启SDRAM的刷新功能(设置开启SDRAM的刷新功能)。
（2）TREFMD[22]：SDRAM的刷新模式，0=CBR/AutoRefresh，1=SelfRefresh（一般在系统休眠时使用），我们设置默认值。
（3）Trp[21：20)：根据芯片手册设为0即可。
（4）Tsrc[19：18]:根据芯片手册设为默认值0b01即可。
（5）RefreshCounter[10:0]：即R_CNT
R_CNT可如下汁算（SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT=2^11+1-SDRAM时钟频率(MZ)*SDRAM刷新周期(us)
SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM:K4S561632的数据手册上，可看见这么一行“64msrefreshpenod(8KCycle)所以，刷新周期=64ms/8192=7.8125us。
Refreshcount=2^11+1-100x7.8=1269=0x4F5
因此，本开发板中REFRESH设为0x8404F5。
4. BANKSIZE寄存器REFRESH（BANKSIZEREG ISTER）
(1)BURST_EN[7]：0=ARM核禁上突发传输，1=ARM核支持突发传输(推荐)；
(2)SCKEEN[5]：0=不使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式，1=使用SCKE信号令SDRAM进入省电模式(推荐)；
(3)SCLK-EN[4]：0=时刻发出SCLK信号，1=仅在访问SDRAM期间发出SCLK信号（推荐）；
(4)BK76MAP[2:0]：设置BANK6的大小。本开发板BANK6外接64MB的SDRAM，令[2:0]=b001（64M/64M），表示BANK6/7的容量都是64MB，虽然BANK7没有使用。
因此，本开发板中BANKSIZE设为0xB1。
5. SDRAM模式设置寄存器MRSRBx6(SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER）
能修改的只有位CL[6:4],这是SDRAM时序的一个时间参数，表示发出行、列地址后，等多久才返回收到数据， CL可以取值为0b0l0（2 clocks）或0b011（3 clocks）。
本开发板取最保守的值0b010,所以MRSRB6的值为0x20。
下面开始写程序：
在init.c里面进行对内存控制器的寄存器依次进行设置：
再写一个测试函数，向SDRAM里面连续写1000个数，再读出数据对比是否是设置的数，返回对比结果：
在主函数里调用sdram_test()测试函数，如果测试成功，LED闪烁：
实验结果：
LED按预期闪烁，屏蔽掉sdram_init()后，LED不闪烁。
