5SHY4045L0003半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是 1996年问世的用于巨型电力电子成

套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一 种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功

半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,

因而使动态损耗降低了约50%，另外，此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二_极管，从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态

压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.

IGCT使变流装置在功率、可靠性、 开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是将GTO芯片与反并联二极管和栅极驱动电路集成在一起，再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合

了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L0001

3BHB0181 62R0001具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点， 而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。

5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率轩关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性

能，但旷泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动单元,因而造成可靠

性下降，价格较高,也不利于串联。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是,在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频

交流器的优选方案。