《炬丰科技-半导体工艺》制造半导体的湿化学蚀刻技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：制造半导体的湿化学蚀刻技术

编号：JFKJ-21-376

作者：炬丰科技

网址：http://www.wetsemi.com/index.html

摘要

半导体器件的制造工程使光电仪器、激光二极管和无线通信设备以及许多其他现代设备成为可能。从 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在贝尔实验室发明晶体管以及大约十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成电路开始，半导体器件极大地推动了计算和电子行业的发展。

半导体材料，如硅、锗、砷化镓和磷化铟，既不是良好的绝缘体，也不是良好的导体，但它们具有固有的电气特性，因此通过控制添加杂质，它们的导电性可以达到改变了。由于需要制造微米级和纳米级器件，半导体行业遵循“摩尔定律”，即集成电路上的晶体管数量大约每两年呈指数增长的趋势。制造这些集成电路的微小特征是通过对半导体材料进行等离子体蚀刻来实现的。

介绍

InGaP 和 InGaAsSb 等半导体对于发光设备以及通信设备和电子设备都很重要。这些器件的制造是通过等离子蚀刻实现的，其中电离气体混合物通过化学反应和物理轰击来蚀刻基板。在用于这些目的的等离子蚀刻中，铟产品没有那么易挥发，而且通常比其他半导体材料更难去除。

结果与讨论

在第一轮蚀刻过程之后，结果尚无定论。看来湿蚀刻溶液没有选择性地蚀刻晶片。假设晶片可能已经倒置，这意味着正在蚀刻更厚的 GaAs 底层而不是 750Å 顶层。在第二轮蚀刻过程中，小心地使用划线器标记每个样品的底面。

结论

使用 H2SO4: H2O2: 去离子水以~8.6 Å/s 的速度从下面的 InGaP 层去除 GaAs 外延盖层的选择性湿蚀刻工艺已经开发出来。