硅基底碳纳米管阵列的制备

采用自制的氧化装置，制备了多孔氧化铝模板和基底氧化铝模板，对制备的模板进行 SEM、AFM 和能谱表征，研究了电解液、度、电压和时间等不同氧化条件对模板参数的影响。

采用CVD催化热裂解甲烷，模板限制法在硅基底上制备了碳纳米管阵列，分别采用三种实验方案:利用模板限制硅基底上沉积 Ni颗粒，生长碳纳米管阵列，直接在清洁的硅基底上粒子束溅射Ni颗粒生长碳纳米管阵列在硅基氧化模板孔道中交流电沉积 Ni 催化剂，生长碳纳米管阵列。比较了各方案的优缺点，对制备的样品进行电镜和拉曼光谱分析。

其他产品：

聚丙烯腈/聚乙烯亚胺重金属吸附膜

聚乙烯醇/聚乙烯亚胺重金属吸附膜

聚乙烯醇/单宁酸重金属吸附膜

聚乙烯醇/全氟磺酸基聚合物重金属吸附膜

聚醚砜重金属吸附膜

磺化聚醚砜重金属吸附膜

苯乙烯-丁二烯-苯乙烯（SBS）重金属吸附膜

聚氨酯/沸石咪唑酸酯重金属吸附膜

以上资料来自互联网，如有侵权，请联系我们进行删除 

QY小编zyl2023.5.6