100M百兆POE端口浪涌静电保护设计方案及TVS、ESD二极管选型分析

100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多，接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用，具体方案图如下：

从方案图中可以看出，选用了TVS二极管5.0SMDJ58CA和SMCJ58CA为100M百兆POE接口防浪涌过电压，选用了ESD二极管DW03DLC-B免受静电放电的伤害。有关5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B具体参数详情如下：

1）TVS二极管5.0SMDJ58CA，双向贴片

峰值脉冲功率：5000 W

峰值脉冲电流：53.42 A

最小击穿电压：64.4 V

最大击穿电压：71.2 V

工作电压：58 V

钳位电压：93.6 V

漏电流：5 uA

封装形式：SMC/DO-214AB

2）TVS二极管SMCJ58CA，双向贴片

峰值脉冲功率：1500 W

峰值脉冲电流：16.03 A

最小击穿电压：64.4 V

最大击穿电压：71.2 V

工作电压：58 V

钳位电压：93.6 V

漏电流：1 uA

封装形式：SMC/DO-214AB

3）ESD二极管DW03DLC-B，双向贴片

峰值脉冲功率：350 W

最小击穿电压：4.0 V

工作电压：3.3 V

钳位电压：7.0 V

漏电流：1 uA

封装形式：SOD-323

结电容：1pF

想了解更多有关100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案和电路保护器件5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B产品参数、手册、应用等，可随时关注和咨询我们！