《炬丰科技-半导体工艺》纳米粗糙度控制方法
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：纳米粗糙度控制方法
编号：JFKJ-21-156
作者：炬丰科技
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摘要
在蚀刻等离子体中等离子体壁相互作用是如何导致聚合物和硅表面的随机粗糙/纳米织构，或在这些表面上形成有组织的纳米结构的。 我们进行了精心设计的等离子体-壁相互作用实验，以了解这两种现象的原因，并提出了蒙特卡罗模拟结果，证实了实验。 我们讨论了在润湿和光学特性控制、蛋白质吸附、微流控和芯片实验室制造和改性以及低成本硅模具制造等方面的新兴应用。 最后，我们展望了等离子体反应器未来的设计，以利用观察到的现象为新的微和纳米制造工艺。
介绍
光刻和等离子蚀刻是由上而下的微和纳米图案的主要方法。 通常，在等离子体蚀刻过程中，离子通过中性物“增强”物质的去除，并诱导蚀刻各向异性(即蚀刻只朝着撞击离子的方向进行，而撞击离子垂直于衬底加速)。 然而,微电子材料蚀刻遭受了多年的所谓“草”形成等离子体蚀刻表面:表面上的任何残留物的存在(或在材料被蚀刻)和腐蚀各向异性导致柱状纳米结构的形成,结构间草的扫描电子显微镜图像是微电子制造课程中蚀刻问题的标准教材。
另一方面，可以被看作是简单的纳米粗糙度，或者是一个表面的纳米纹理，可以用于多种应用。 例如,如果这样一个粗糙的表面涂上一种疏水性的增加将导致观察到显著增加水和油的接触角,并最终液体辊的表面,因此允许自洁作用 的表面。 纳米结构的另一个好处是当需要抗反射率时: 蚀刻诱导的纳米粗糙度已知可以降低Si(“黑硅”是一个众所周知的例子)和聚合物的反射率，所谓的“纳米”等离子体粗糙度已经被提出。事实上，对于聚合物等离子体纳米纹理可以同时实现光学透明度， 抗反射率和超疏水性。 因此，我们想强调的是，与纳米电子学的不良影响相反，当需要一种或多种“智能”功能时，受控的纳米织构形成可能对大区域的纳米制造和器件的纳米制造都有价值。 略
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本文还讲述了等离子体纳米织构和等离子体组织有什么不同? 等离子体纳米织构和反应器壁的作用，等离子体定向组织和反应器壁的作用等问题。
