2025年,台积电将量产2nm,英特尔还能重回领先地位么?

近年来,英特尔提出了IDM 2.0战略,修订了4年5个节点的目标,又开放了IFS代工服务。其战略目的很明确,在4年内快速发展5个制程技术,和台积电先进制程技术相争,于2025年实现重回制程技术的领先地位。
英特尔目标制定得确实不错,但作为晶圆代工的龙头企业台积电,也不是吃素的。有消息传出,台积电2nm工艺如期而至,将于2025年进入量产。

据供应链消息,2025年,台积电将如期上线2nm工艺,2025年下半年在新竹市宝山乡进入量产。同时,2026年,台积电计划推出N2P工艺,这一工艺将采用背面供电网络(BSPDN)技术。
3nm失去先发优势的情况下,2nm对于台积电来说是一个重大节点,甚至,业内有人评价说,在2nm先进制程的争夺上,看起来台积电要扳回一局了。
如果,2025年,台积电真如期实现2nm量产,那英特尔还能重回领先地位么?
针对这个问题,英特尔高级副总裁兼中国区董事长王锐此前就给出了答案,她曾对媒体表示:坚信到2025年英特尔能够重新回领先地位。她有这样的信心,也不完全是自卖自夸,英特尔在如下几个方面还是有优势的。

首先,从进度上来看,英特尔还是有优势的。
据英特尔早前公布的进度显示,Intel 4正在推进量产,Intel 3仍在按计划推进,Intel 20A/18A(2nm/1.8nm)工艺已流片。英特尔预计Intel 20A将于2024年上半年投产,Intel 18A会在2024年下半年投产。
按照英特尔的说法,2nm/1.8nm工艺已流片,意味着设计定案,即规格、材料、性能目标等均已完工。也就是,在进度上,Intel 20A/18A于2024年投产没问题了。
也就是说,只要没有什么意外,英特尔2nm量产时间会早于台积电,1.8nm工艺或与台积电2nm差不多时间量产。

其次,在技术水平上来看,英特尔有自己独特优势。
Intel 20A/18A将会首发两大突破性技术:RibbonFET和PowerVia,其中,RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。
而PowerVia则是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
这两项技术结合带来的效果,以20A为例,每瓦性能比目前的Intel 7工艺(13代酷睿)提升63%以上。

而台积电2nm会采用纳米片晶体管(Nanosheet),取代鳍式场效应晶体管(FinFET),正式进入GAA晶体管时代。相较于3nm工艺,其2nm在相同功耗下,速度快10-15%,在相同速度下,功耗降低25-30%。
按照晶体管密度来看,Intel 20A < 台积电N2(2nm)< Intel 18A,从在性能、功耗、尺寸方面比较: 台积电N2(2nm)< Intel 20A < Intel 18A。整体上,Intel 20A和台积电的2nm工艺差不多,Intel 18A那就更先进点。
如果,英特尔进度一切正常,在技术水平上将会领先一点。

最后,在客户方面,英特尔也占优。
目前,据英特尔表示已有43家潜在客户正在测试芯片,其中,至少有7家是来自全球TOP10的芯片厂商。更重要的是,3nm及以下制程的芯片,都属于高端芯片,客户大多数集中在美企。同样是美企的英特尔,只要技术过关,获得的客户支持肯定更多。
其中的道理,也不用过多地解释,想必大家都知道老美“美芯制造”的野心。

总结来看,如果两家一切进度都正常,那么,英特尔还是具有较大的优势,2025年,很有可能要重回领先地位。当然了,这些都是“纸上数据”,均是自说自话,实际还要等他们的工艺量产后才知道。
那么,你认为英特尔会不会2025年重回领先地位?