基于多体微扰理论的GW计算
(本文章是本人阅读文章的个人总结:【第一性原理新进展:GW 方法♣】)
在目前材料基态性质计算中,比较成功的方法都是基于密度泛函理论的自洽Kohn-Sham方法:他本质上是一个基态理论。但是,物质的很多性质都与材料电子结构的激发态密切相关。因此,传统的理论方法导致计算的能带隙严重偏低、计算的光谱非常不靠谱。
近年来,发展了许多描述和处理电子激发态问题的理论和方法。其中比较重要的有:基于准粒子概念和Green函数方程的多体微扰理论(GW)方法、在局域密度近似方法(LDA)基础上考虑两个3d电子在同一轨道的库伦作用能量U(On-site Coulomb Energy)的LDA+U方法、含时密度泛函理论(TDDFT)方法和描述电子-空穴相互作用的Bethe-Salpeter方程(BSE)、自相互作用修正方法(SIC)等等。
要理解第一原理激发态计算,我们先要理解密度泛函理论。所谓密度泛函理论,就是一种完全基于量子力学的从头算(Ab Initio)理论。通常把基于密度泛函理论的计算叫做第一性原理(First Principles)计算。
但是,对于半导体和绝缘体的带隙,密度泛函理论的计算结果一般比实验值小 30 % -50 %,甚至更多,成为著名的“带隙偏小”问题。另外,密度泛函理论计算的光谱,如光发射谱、吸收谱和电子能量损失谱等等,也与实验测量结果相差甚远。原因是密度泛函理论的自洽 Kohn-Sham 方法仅对于系统基态密度有严格的定义.对于物质的激发态性质,Kohn-Sham 方法是无能为力的。
当然,由于激发态过程是体系基态性质对外界微扰的响应,处理激发态的理论也将与密度泛函理论(DFT)有密切关系。基于 Green 函数方法和屏蔽 Coulomb相互作用的Hedin 准粒子 GW 方法就是在这种形势下应运而生的。

的纤锌矿 InAs 的能带结构(将 In 4d 电子视为芯态)