IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1

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IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1

型号：IMBF170R1K0M1

品牌：英飞凌

封装：TO-263

最大漏源电流：31A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：99mΩ

引脚数量：3

特点

革命性的半导体材料-碳化硅

针对飞回拓扑进行了优化

12V/0V栅极-源极电压与大多数飞回控制器兼容

非常低的开关损耗

基准栅极阈值电压，VGS（th）=4.5V

用于EMI优化的完全可控dV/dt

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的IMBF170R1K0M1 MOS管

  ASEMI代理英飞凌品牌IMBF170R1K0M1是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了IMBF170R1K0M1的最大漏源电流31A，漏源击穿电压600V.