T8193 ICS TRIPLEX

使用半导体行业中使用的技术，许多结串联连接以增加设备的输出，但检测器封装是小型化和紧凑的。设备的尺寸和质量对于确定其响应时间和设备的其他特性很重要。该检测器的响应时间相对较慢，但具有直流稳定性、无需偏置和响应所有波长的优点。它是将光能转换为电信号的最简单方法。

2. 热敏电阻测辐射热计：

当入射红外辐射与探测器相互作用时，测辐射热计会改变电阻。这种热敏半导体由烧结金属氧化物材料制成。它具有很高的电阻温度系数。

3. 热释电探测器：

热电材料是晶体，例如钽酸锂，它表现出自发极化，或与温度相关的集中电荷。当红外辐射撞击探测器表面时，温度的变化会导致电流流动。该电流与辐射强度成正比。该检测器表现出良好的灵敏度和对宽波长范围的良好响应，并且不需要冷却检测器。它是气体监测仪最常用的检测器。

光子探测器：

光子根据其波长和强度拥有能量。光子检测器检测入射光子与半导体材料之间的量子相互作用。以足够能量撞击电子的光子可以将电子从非导电状态提升到导电状态。导带中电子的存在会增加芯片的导电性，偏置电压会将这种变化记录为信号。电子的激发需要光子具有一定的能量。较短的波长具有较高的频率，因此具有更多的能量。该检测器在有限的光谱区域中起作用，这取决于所使用的检测器材料。通常，检测器必须用热电冷却器甚至液氮冷却才能正常工作。 

DS200DENQF1ADB

DS200DENQF1AEA

DS200DENQF1BCB

DS200DENQF1BDB

DS200DENQF1BDC

DS200DENQF1BDD

DS200DENQF1BDE

DS200DENQF1BDG

DS200DMCAG1A

DS200DMCAG2A

DS200DMCBF1CFA

DS200DMCBF1CIA

DS200DMCBF1CJC

DS200DMCBG1A

DS200DPCAG1A

DS200DPCBG1A

DS200DSFBG1A

DS200DSFBG2A

DS200DSPAF1ABE

DS200DSPAF1ABF

DS200DSPAF1ABG

DS200DSPAF1ABH

DS200DSPBF1ABD

DS200DSPBF1ABE

DS200DSPCF1AAF

DS200DSPCH1A

DS200DSPCH1ADA

DS200DSPDF1ABA

DS200DTBAG1A

DS200DTBBG1A

DS200DTBCG1A

DS200DTBDG1A

DS200EXDEG1A

DS200EXPSG1A

DS200FCGDH1ABA

DS200FCGDH1B

DS200FCRLG1A

DS200FCRRG1A

DS200FCSAG1A

DS200FCSAG2A

DS200FECBG1A

DS200FGPAG1A

DS200FHVAG1A

DS200FHVAG2A

DS200FPSAG1A

DS200FSAAG1A

DS200FSAAG2A

DS200GASCF1AEG

DS200GASCF1AEJ

DS200GASCF1AEL

DS200GASCF1AEO

DS200GASCF1AEP

DS200GASCF1AFB

DS200GASCF1AFE

DS200GASCF1BEL