第四章 存储器

4.2主存储器

4.2.4只读存储器

ROM——

1. 原始定义：一旦注入原始信息即不能改变，但随着用户的需要，总希望能任意修改ROM内的原始信息——

   发展：出现了PROM、EPROM和EEPROM等；

2. 基本器件：

1. MOS型

2. TTL型

a.掩模ROM

MOS型掩模ROM：

1. 描述：容量为1K*1位，采用重合法驱动，行、列地址线分别经行、列译码器，各有32根行、列选择线——

   行选择线与列选择线交叉处既可有耦合元件MOS管，也可没有；

   列选择线各控制一个列控制管，32个列控制管的输出端共连一个读放大器；

   当地址为全“0”时，第0行、第0列被选中，若其交叉处有耦合元件MOS管，因其导通而使列线输出为地电平，经读放大器反相为高电平，输出“1”；

2. 特点：ROM制成后不可能改变原行、列交叉处的MOS管是否存在，所以，用户是无法改变原始状态的。

b.PROM

定义：可以实现一次性编程的只读存储器。

双极型电路和熔丝构成的基本单元电路：

1. 描述：基极由行线控制，发射极与列线之间形成一条镍铬合金薄膜制成的熔丝（可用光刻技术实现），集电极接电源Vcc，熔丝断和未断可区别其所存信息是“1”或“0”、

2. 原理：用户在使用前，可按需要将信息存入行、列交叉的耦合元件内，若欲存“0”，则置耦合元件一大电流，将熔丝烧掉，若欲存“1”，则耦合处不置大电流，熔丝不断，当被选中时，熔丝断掉处将读出“0”，熔丝未断处将读出“1”；

3. 特点：已断的熔丝是无法再恢复的，故这种ROM往往只能实现一次编程，不得再修改。