《华林科纳-半导体工艺》通过旋转清洗和超声波清洗去除硅晶片中的亚微米颗粒
为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染，有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒的粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒（0.1-0.5mm）沉积在硅片上，并通过自旋冲洗和巨型清洗去除，颗粒滚动是硅晶片中变形亚微米颗粒的主要去除机理，超电子学提供了更大的流流速度，因为超薄的边界层会产生更大的去除力，能够完全去除受污染的粒子，为了去除颗粒，有必要了解接触颗粒与接触基底之间的附着力和变形。
图1
利用自旋漂洗和超气体学的水动力去除实验结果，比较亚微米粒子的粘附力和去除力，并确定其去除机理，将清洗后和清洗前颗粒计数的差异除以清洗前颗粒计数，获得颗粒去除效率，通过自旋漂洗去除粒子的流场利用了流体动力边界层中的阻力和升力(如图所示1)同样，由于超气流引起的极薄声边界层内的阻力和升力对于超气体清洗中的粒子去除非常重要。
图4
如图所示4，如果作用于颗粒上的升力大于附力，则从表面去除机构颗粒，FL³Fa升力比阻力小几个数量级，由于阻力已经小于粘附力，因此升力太小，无法使PSL粒子脱离表面，如果阻力、升力和粘附力满足以下公式，也可以通过滑动去除粒子：FD³k(Fa-FL)，其中k为摩擦系数，定义阻力与附力的比值RS，以判断是否发生瞬时滑动的脱离。
如图所示5，对于0.1-0.5mm的亚微米PSL颗粒，自旋漂洗的RM小于1，而巨气清洗产生更大的RM(RM>>1)，RM随着颗粒尺寸的增大而增加。因此，正如我们所预期的那样，粒子的去除率会随着RM的增加而增加，超电子学可以提高粒子的去除效率。通过图中所示的自旋漂洗和大型清洗数据，证实了这一结论。巨能学能够实现0.1-0.5mmPSL粒子的完全去除，而自旋冲洗的去除率低于80%。阻力主要通过滚动粒子来去除亚微米颗粒。用硅表面的0.1-0.5mmPSL粒子进行的自旋冲洗和大型清洗实验验证了这一点。一个重要的去除参数RM被定义为去除力矩与粘附力矩的比值。结果表明，颗粒去除率随RM的增加而增加，超音学（高频超声）比自旋电子材料杂志，冲洗去除亚微米粒子，因为它在极薄的声边界层产生的高频RM。
