NKC164-TM04铜合金冲压铜带

NKC164-TM04铜合金冲压铜带

微电子技术的核心是集成电路。集成电路是指以半导体晶体材料为基片（芯片），采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路。这种微电路在结构上比zui紧凑的分立元件电路在尺寸和重量上小成千上万倍。它的出现引起了计算机的巨大变革，成为现代信息技术的基础。己开发出的很大规模集成电路，在比小姆指甲还小的单个芯片面积上，能做出的晶体管数目，己达十万甚至百万以上。国际著名的计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铝作互连线，取得了突破性进展。这种用铜的新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1]  。引线框架

为了保护集成电路或混合电路的正常工作，需要对它进行封装；并在封装时，把电路中大量的接头从密封体内引出来。这些引线要求有一定的强度，构成该集成封装电路的支承骨架，称为引线框架。实际生产中，为了高速大批量生产，引线框架通常在一条金属带上按特定的排列方式连续冲压而成。框架材料占集成电路总成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必须要有低的成本。

K09 OFE-Cu C10100   K11 Cu-OF C10200

K12  SE-Cu57 C10300   K14 Cu-PHC C10300 SE-Cu58  K15 C12000 SW-Cu Cu-DLP

K19 SF-Cu C12200 Cu-DHP  K32 E-Cu58 C11000 Cu-ETP

K42 CuZn0.5

K55 CuNi3Si1Mg C70250  K57 CuNi1Co1Si C70350

K60 CuCr1Zr CW106C C18200 2.1293  K62 CuSn1CrNiTi C18090

K65 CuFe2P C19400   K75 CuCrSiTi C18070  K80 CuFeP C19210

K81 CuSn0.15 C14415   K88 CuCrAgFeTiSi C18080

K55-R620、K55-Y550、K55-R650、K55-R690、K55-R760、K55-TR02、C70250-R620、C70250-Y550、C70250-R650、C70250-R690、C70250-R760、C70250-TR02、CuNi3Si1Mg-R620、CuNi3Si1Mg-Y550、CuNi3Si1Mg-R650、CuNi3Si1Mg-R690、CuNi3Si1Mg-R760、CuNi3Si1Mg-TR02、C7025-R620、C7025-Y550、C7025-R650、C7025-R690、C7025-R760、C7025-TR02、K55-TM00、K55-TM02、K55-TM03、K55-TM04、CuNi3Si1Mg-TM00、CuNi3Si1Mg-TM02、CuNi3Si1Mg-TM03、CuNi3Si1Mg-TM04、C70250-TM00、C70250-TM02、C70250-TM03、C70250-TM04、C7025-TM00、C7025-TM02、C7025-TM03、C7025-TM04、

K57-TM04、K57-TM06、K57-TM02、CuNi1Co1Si-TM04、CuNi1Co1Si-TM06、CuN