2023年考研厦门大学877半导体物理与器件考研真题(回忆版)
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哈喽，亲爱的同学们，我是圆圆学姐~
考厦大的研友都知道官方不再公布真题，网络上的真题搜集零散又少，搜集难度又高。圆圆学姐之前就拜托各位考后回忆真题，现已收集完毕。由于时间紧急，公众号【圆梦厦大】首发的真题排版是截图，但也不影响阅读。2024考研厦大的同学可以自行了解考题，同时也欢迎大家来补充，一一回赠复试资料❤️
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以下是2023年考研厦门大学877半导体物理与器件考研真题(回忆版)
一、名词解释（每个 3 分，45 分）
1、空穴
2、非简并半导体
3、布里渊区
4、间接禁带
5、肖特基接触
6、态密度
7、共价键
8、热电子发射效应
9、杂质补偿半导体
10、俄歇复合
11、空间电荷区
12、过剩载流子
13、点缺陷
14、允带
15、自发辐射
二、简答题（60 分）
1、解释 PN 结的三种击穿机制（15 分）
2、弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷都是点缺陷，分析他们的区别（9 分）
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