25N120-ASEMI的MOS管25N120

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25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是：集电极电流(Ic)为25A，集电极-发射极电压为1200V，G-E极阈值电压(VGE)为5.5V，其中有3条引线。

25N120参数描述

型号：25N120

封装：TO-247

特性：大电流MOS管

电性参数：25A 1200V

芯片材质：GPP

集电极电流(Ic)：25A

脉冲集电极电流(ICM)：75A

G-E极阈值电压(VGE)：5.5V

G-E极漏电流(IGES)：100na

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

25N120场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm，加引脚长度为41.55mm，宽度为16.25mm，高度为5.05mm，脚间距为5.7mm。25N120具有高速切换、低饱和电压、高输入阻抗等特性。

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