电力电子技术期末考试3

1、目前电力电子器件中容量最大的是SCR。全控型器件中容量最大的是GTO。开关速度最快的是MOSFET。IGBT结合了GTR和MOSFET，但开关速度不如MOSFET，容量不如GTR，存在擎住效应。

2、GTR在截止区和饱和区之间转换。MOSFET在截止区和非饱和区之间转换。IGBT在正向阻断区和饱和区之间转换。

3、MOSFET开通的驱动电压取10~15V，IGBT开通的驱动电压为15~20V。

4、过电压保护

外因过电压：操作、雷击。内因过电压：换相、关断。

RC和RCD作为常见的抑制内因过电压的措施。

5、过电流保护

过电流分为短路和过载两种情况。电子电路作为第一保护措施，快速熔断器作为短路时部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。

6、电流驱动和电压驱动电力电子器件

电压驱动器件的特点：输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路工作频率高。

电流驱动器件的特点：具有电导调制效应。通态压降低，导通损耗小，工作频率低，所需驱动功率大。

7、维持晶闸管导通的条件？

使流过晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流。

8、晶闸管的串并联问题（先串后并）

串联均压

静态不均压问题的解决：选用参数和特性尽量一致的元件、采用电阻均压

动态不均压问题的解决：选用参数和特性尽量一致的元件、采用RC并联支路、门极强脉冲触发

并联均流

问题解决：选用参数和特性尽量一致的元件、采用均流电抗器、门极强脉冲触发