三极管结电容对其启动性能影响

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。

二者的外形封装，功能参数均类似。从原理等效模型看，IGBT单管就比MOS管多了一个PNP三极管。IGBT耐高压，可承担大功率。MOS用于低压小功率高频场合。

    电路中存在寄生电容与寄生电感，会组成一个LC振荡电路。

    IGBT和MOSFET一样，存在寄生结电容，即为CGC，CGE和CCE。

输入电容Cies=CGC+CGE。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断，因此主要影响器件的开关速度、开关损耗。

输出电容Coes=CGC+CCE。主要影响器件VCE的变化，限制开关转换过程中的dv/dt。Coes造成的损耗一般可以被忽略。

反向传输电容Cres即米勒电容。主要影响器件栅极电压VGE和VCE的耦合关系。

    IGBT的开关过程就是对输入电容的充放电过程，理论上输入电容越小那么IGBT的开关就可越快。