TRICONEX 4352B 英维思 重写电容器中的数据

TRICONEX 4352B  英维思 重写电容器中的数据

动态随机存取存储器（动态随机存取存储器或者动态随机存取存储器)是一种随机存取的 半导体存储器存储每个少量中的数据存储单元，通常由微小的电容器和一个晶体管，两者通常都基于金属-氧化物-半导体(MOS)技术。虽然大多数DRAM存储器单元设计使用电容器和晶体管，但是一些仅使用两个晶体管。在使用电容器的设计中，电容器可以充电或放电；这两种状态用来表示一个比特的两个值，通常称为0和1。

这电荷电容器上的电流逐渐泄漏；如果没有干预，电容器上的数据很快就会丢失。为了防止这种情况，DRAM需要一个外部存储瀑生周期性地重写电容器中的数据，将它们恢复到原始电荷的电路。这种刷新过程是动态随机存取存储器的定义特征，与静态随机存取存储器(SRAM)不需要刷新数据。不像闪存，DRAM是易失存储器(相对于非易失性存储器)，因为它在断电时会很快丢失数据。然而，DRAM确实表现出有限的数据剩余。

TRICONEX AI3351  

TRICONEX 3401

TRICONEX DO3401

TRICONEX 3503E

TRICONEX 3511

TRICONEX 3623T

TRICONEX 3664

TRICONEX 3704E

TRICONEX 3805E

TRICONEX 4200

TRICONEX 4201

TRICONEX 4351B

TRICONEX 4508

TRICONEX 9561-810

TRICONEX 9563-810

TRICONEX 3000510-380

TRICONEX 9662-610

TRICONEX AO2481

TRICONEX HCU3700/3703E

TRICONEX  3703E

TRICONEX  7400213-100 

TRICONEX  4000056-002

TRICONEX  3625

TRICONEX  7400206-100