STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
概述
本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103RBT6，128K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的课程，需要GD样片的可以加群申请：6_15061293 。
视频教学
https://www.bilibili.com/video/BV19d4y1Y7Px/
csdn课程
课程更加详细。 https://download.csdn.net/course/detail/35611
硬件准备
使用STM32CUBEMX生成例程，这里使用NUCLEO-F103RB开发板
查看原理图，PA2和PA3设置为开发板的串口。
配置串口。
查看原理图，PA8设置为PWM输出管脚，PA0设置为定时器输入捕获管脚。
配置时钟树
配置时钟为64M。
串口重定向
在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier "FILE" is undefined报错。
函数声明和串口重定向：
FLASH定义
对于STM32F103，有低、钟、高密度的FLASH类型。
低密度
中密度
高密度
对于STM32F103RB,FLASH大小为128KB，固为中密度的Flash。
变量定义
如果要对FLASH进行写入数据，需要执行以下四步：
解锁FLASH
擦除FLASH
写入FLASH
锁住FLASH
擦除只能是按页或者整块擦除。 STM32F103RBT6的Flash容量是128KB,所以只有128页，每页1KB。 我们可以写入到页127中，即0x0801FC00-0x0801FFFF中。 由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。
主程序
演示效果
通过STM32CUBEIDE查看地址也可以看到，值正确写入。
最后
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