书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：化学机械抛光

编号：JFKJ-21-055

作者：炬丰科技

化学机械抛光

  在金属化学机械抛光 (CMP) 过程中，金属和氧化物的含量会降低，从而导致表面不规则。线宽和图案密度（例如，线密度）都会影响产量并导致表面变化。必须优化CMP工艺在提高产量的同时获得最佳平面度（即平坦表面）。侵蚀反映了氧化物水平的局部损失，而凹陷解释了当 Cu 在氧化物水平上方后退或突出时金属水平的变化，如图 1 所示。凹陷和侵蚀占产量损失的主要部分，并且是CMP工艺中的关键因素

CMP 性能的关键矩阵是总铜损耗 (TCL)

TCL = 氧化损失 + 侵蚀 + 碟形

  它是场氧化损耗、侵蚀和凹陷造成的铜损耗总和。在这三者中，如图 2 所示，场氧化损失可以通过光学方法测量，腐蚀和凹陷可以通过轮廓测量法测量。然而，传统的触控笔和光学轮廓仪只能解析低至 0.5......

Wafer高级 AFM 表面轮廓仪      略

边缘腐蚀的 CMP 后分析     略

结论

  新的集成智能 Wafer 系统用于研究金属 CMP 工艺。我们的数据显示 EOE 是特征尺寸、阵列线形状和图案密度的函数。Wafer 的革命性设计实现了前所未有的伺服性能，吞吐量是市场上以前可用的表面轮廓仪的 10 倍。          略

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