近日，罗姆半导体的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

此款SiC MOSFET将从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。超10万种现货元器件，一件也发货，来唯样商城购正品~

在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。

罗姆自2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET以来，在SiC功率元器件技术开发方面，始终保持着业界先进地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。

未来，罗姆将作为SiC功率元器件的领军企业，不断壮大产品阵容，并结合能够更大限度地激发元器件性能的控制IC等外围元器件技术优势，持续提供有助于汽车技术创新的电源解决方案。