芯片的需求是尺度越小越好，集成度越高越好。

芯片的重要步骤：设计-制造-封测

集成电路技术的基本特征

1. 设计、制造极其复杂：高度依赖EDA工具与自动化设备；
2. 高精密度：纳米到原子级；
3. 低缺陷率：10e^8到10e^10一个杂质缺陷；
4. 材料众多：涵盖50%以上元素周期表内的元素。

后摩尔时代指平面结构的传统器件过渡到FinFET立体结构的新器件以后的阶段。其主要特征是集成度、性能、功耗、成本等摩尔定律的特征不再统一的变化，而是要从整体的综合评估性能的变化。

技术瓶颈为：尺寸瓶颈、集成度瓶颈、功耗瓶颈、算力瓶颈等，与特征一致，不能分别考虑，而是要统一考虑，因为它们的相互交织的。之后的幻灯片就是分别的讨论:

之前提到了性能的发展不能单一的看指标，要综合起来评估，因此主讲人提出了三大变化，引入更具有综合性的评价标准（以多指标组合的形式）。

从工业制造角度将现有技术和提出评估手段相互补充，并提出了创新的方向：材料创新、器件结构创新、器件原理创新、工艺创新、互联创新、集成创新、设计创新、架构创新等，具体内容见以下幻灯片：

后摩尔时代器件应呈现多维度创新发展的趋势，机遇巨大。

评价：由于不知道此专题报告的要求和受众，但对于相关从业人员或科研人员来说，确实干货很少，而且有些地方确实感觉黄院士自身也不够熟悉。当然这是正常情况，术业有专攻，主讲人水平还是有的。适合给有集成电路、半导体器件等相关课程的本科生作为课外拓展材料。