英特尔终于放出大招，背面供电PowerVia技术明年见

强在哪？

早在21年7月的英特尔的“制程工艺和封装技术线上发布会”上，CEO帕特基辛格就展示了一系列光刻技术创新，包括RibbonFET和PowerVia两种关键技术，这被英特尔视为对光刻行业的一记组合拳，也被英特尔认为是帮助他们重回晶圆厂领导地位的关键技术。

在下周VLIS研讨会上，英特尔将发表论文对技术进行详解。实际上我之前已经有文章提到过PowerVia技术，这确实很可能将成为英特尔翻身之本。

PowerVia将在处理器的PCB背面封装一片小芯片，这颗小芯片专门用于给正面的处理器芯片控制供电。

代号为Blue Sky Creek的测试芯片，帮助英特尔完善了PowerVia背面供电技术。PowerVia预计于2024年随英特尔20A制程节点推出，是光刻行业首次实现芯片背面供电，解决了数十年以来的互连瓶颈问题。

这项技术的背景，源自现在日益增长的算力需求，特别是在现在AI和图形计算，都需要尺寸更小、密度更高、性能更强的晶体管来达到高性能目标。数十年前到现在，晶体管架构中的电源线和信号线一直都在抢占指甲盖大小的晶圆空间。通过在结构上将两者的布线分开，可显著提高芯片能效。英特尔表示，他们已将PowerVia的开发与晶体管开发分开进行，确保PowerVia能够为英特尔20A和18A工艺而做好准备。

英特尔提到，在自家测试产品上的结果很乐观，其单元利用率超过了90%，同时有希望降低芯片的散热成本，使芯片设计者能更加专注于产品的性能和效率提升。而在技术方面，测试结果显示平台电压下降改善达30%以上，因此效率核心的频率收益高达6%。

除了这项革命性的PowerVia技术，英特尔也将在VLSI会议上公布RibbonFET技术的论文，这一技术将进一步提升晶体管密度，让芯片性能更加增强。英特尔20A工艺以及PowerVia将在2024年上半年面向市场，希望消费级产品能率先见面。