如何雕刻芯片：刻蚀原理｜芯片制造详解05

Etch：

一、

湿法刻蚀（Wet Etch）

使用液态化学品（强酸强碱）

1.刻蚀速率

• 刻蚀厚度(um)
• 刻蚀时长(min)

刻蚀液（HNA）

三酸化骨水（氢氟酸、硝酸、乙酸）

硝酸比例上升↑，有助于表面充分氧化再腐蚀

刻蚀后的硅片会更光滑

氢氟酸比例上升↑

刻蚀速度更快，但是表面会粗糙

温度和搅拌

• 温度：
  

  04:03

  
• 搅拌：
  

  04:16

  

空穴现象(Cavitation)：

让液体在不间断的高频振动中被持续压缩和释放产生大量微小的空泡

2.选择比

不同物质的刻蚀速率之比

硅10：光刻胶1

3.方向性

一般湿法刻蚀无方向

需要更好用：

不含金属的刻蚀液

TMAH ：

破坏力：★★

N(CH3)4OH

EDP：

破坏力：★★★

C2H4(NH2)2

C6H4(OH)2

联氨

破坏力：★★★★★

N2H4

二、

干法刻蚀（Dry Etch）化学气体（等离子气体）

气体在精确配比后被通入反应腔内，再用电容或电感耦合的方式，让气体完全或部分电离，形成等离子体或离子束，经过电场加速，射向硅片进行刻蚀