台积电加速迈向2nm工艺，高雄工厂正在规划量产N2P

台积电正加速迈向 2nm。根据 MoneyDJ 报道，位于新竹宝山的台积电工厂预计于 2024 年第 2 季度开始安装设备，预计 2025 年第 4 季度量产，初期月产量约 3 万片晶圆。

台积电的高雄工厂目前正在积极准备 N2 工艺的推出。预计在N2工艺推出一年后，工厂将采用背面供电技术，并开始量产N2P（2nm加强版）工艺。

台积电曾经透露了在N2工艺上扩展背面电源轨解决方案的计划，该方案可以减少红外衰减，改善信号，性能提高10%至12%，并使逻辑面积减少10%至15%。

台积电计划在2025年下半年向客户交付背面电源轨样品，并在2026年开始量产。

三星此前公布的半导体规划表示，他们将在2025年实现2nm的大规模量产，2027年实现1.4nm的量产。而英特尔预计在2024年上半年开始量产20A，采用Gate All Around（GAA）技术RibbonFET电晶体架构，2025年量产18A。