可联：132·1733·1286（谭

）

采用专有的 200 GHz fT 磷化铟 IC 制程、背面接地过孔和全新厚膜技术

特点

带宽：

• 30 GHz

• Tr = 14.3 psec

范围：

• 直流衰减比：6:1（使用 200 Ω ZIF 探针时为 3:1）

• 输入电压范围：1.6 Vpp（使用 200 Ω ZIF 探针时为 0.8 Vpp）

• 输入共模范围：直流至 250 Hz 时为 ±12 V，>250 Hz 时为 ±2.5 V（直流至 250 Hz 时为 ±6 V，>250 Hz 且使用 200 Ω ZIF 探针时为 ±1.25 V）

• 偏移范围：±16 V（探测单端信号时）