IPW60R017C7英飞凌MOS管，ASEMI代理介绍

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IPW60R017C7英飞凌MOS管参数：

型号：IPW60R017C7

连续漏极电流（ID）：109A

功耗（Ptot）：446W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：600V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA

栅源漏电流（IGSS）：100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.017Ω

输入电容（Ciss）：9890pF

输出电容（Coss）：200pF

二极管正向电压（VSD）：0.9V

反向恢复时间（trr）：630ns

CoolMOS™ C7是一项针对高压功率MOSFET的技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌科技创造。ASEMI代理IPW60R017C7英飞凌MOS管，详情可咨询强元芯电子。

IPW60R017C7特征：

适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）

MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns

由于同类最佳FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg提高了效率

符合JEDEC (J-STD20)的工业级应用要求和JESD22)

IPW60R017C7用于高功率/性能的PFC级和PWM级（TTF、LLC）SMPS，例如计算、服务器、电信、UPS 和太阳能。