18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20

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18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20

型号：18N20

品牌：ASEMI

封装：ITO-252

最大漏源电流：18A

漏源击穿电压：200V

RDS（ON）Max：0.18Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

18N20场效应管

18N20的电性参数：最大漏源电流18A；漏源击穿电压200V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=200V，Id=18A

RDS（开）:0.18Ω （最大值）@VG=10V