realme 真我 GT5，官宣：1.5K 144Hz 超窄边直屏，觉醒光环系统Pro
8 月 24 日消息，realme 官方今日公布了，真我GT5的屏幕相关规格，8 月 28 日发布，定位“安卓性能之王”。
——真我 GT5 手机正面配备，6.74英寸1.5K 2772x1240 分辨率 OLED窄边框直屏 ，支持144Hz 超高刷，2160Hz PWM 调光,天马 T7+ 基材，Pro-XDR 高动态显示、色温球自由调色、自定义高刷，硬件级低蓝光、20000 级亮度调光，2000Hz 电竞操控引擎，并配备无支架超窄边框。
详细配置，据现有爆料及其工信部入网消息汇总如下：
【realme GT 5】
◇ 处理器：3.2GHz骁龙 8 Gen 2，X7独显芯片，配备LPDDR5x 内存和 UFS 4.0闪存。
◇ 存储规格：最高24GB超大物理内存+1TB存储；
◇ 屏幕：6.74英寸1.5K 2772x1240 分辨率 OLED窄边框直屏 ，支持144Hz 超高刷，2160Hz PWM 调光,天马 T7+ 基材，Pro-XDR 高动态显示、色温球自由调色、自定义高刷，硬件级低蓝光、20000 级亮度调光，2000Hz 电竞操控引擎，并配备无支架超窄边框；
◇ 后置：50MP主摄（IMX890 OIS）+8Mp+2Mp。
◇ 前置：16Mp
◇ 电池容量：4600mAh，支持240W快充，搭配全链路电源管理芯片；
◇ 电池容量：5240mAh，支持150W快充；
◇ 机身尺寸：163.13x75.38×8.86mm，205克。
◇ 其他配置：NFC，RGB 灯，红外遥控，X轴马达。
——该机采用，无屏幕塑料支架+塑料中框+玻璃机身设计。
ID设计方面，从工信部证件照上可以看到，该机配备了矩形超大相机模组，相机与后壳连接处进行了弧度处理，正面配备一块居中单孔直屏。
细节方面，该机配备“流银幻镜”配色，拥有液态金属质感，据了解，该机后盖采用了 realme 和比亚迪联合研发的“奇迹玻璃”，官方称拥有行业最大面积热锻曲面。
——realme 中国区营销总监 楚楚_Jessie 预热称，新机为全球首款“奇迹玻璃”手机。
具体ID设计方面，真我GT5，采用横向超大三摄矩阵模组 + 觉醒光环 RGB 灯带。
真我 GT5 手机除了量产 240W 长寿版快充外，还将提供新一代 150W 光速秒充版本，为用户提供双版本选择。
此外，真我 GT5 手机，将首发“极客性能面板”。
——支持多核心调度以及自定义频率，可跑满 3.2GHz。在超大核调节页面，可以看到有 2.5GHz、2.6GHz、2.7GHz 等多个频率可选。开启后，CPU 各个内核将在选择的频率区间运行。
真我 GT5 采用 24 GB LPDDR5X 超大物理内存 和1TB UFS4.0 超大存储，搭载“旋风内存引擎 2.0”，官方宣称“后台保活 App 至高达 76 个”。
——支持“游戏专属内存”，官方宣称实现至高 6 款游戏“常驻保活”，支持系统优先调度、资源智能预更新等。
搭载了超独显芯片 X7，支持 110 款热门游戏 144Hz 刷新率 + 1.5K 分辨率双开，号称“全面引领高帧高画质时代”。
realme 副总裁、中国区总裁徐起在预热海报中表示：“发布超 30 款第二代骁龙 8 旗舰，为什么没有一款真正触及性能极限？”。
据了解，除真我 GT 5外，该系列还将配备Pro 版，预计搭载骁龙 8 Gen 3 处理器。
骁龙 8 Gen 3方面，根据此前爆料汇总如下：
❶【骁龙 8 Gen 3For Galaxy•高频版】
◇ 编号：SM8650-AC；
◇ 制成工艺：台积电N4P
◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）
◇ GPU：Adreno 750
◇ 三级缓存：10MB（骁龙 8 Gen 2：8MB）
——具体规格配置基于，Geekbench 6平台，三星 Galaxy S24 Plus现有跑分，如下图所示：
对比，此前收录的三星 Galaxy S23 Plus，骁龙 8 Gen 2，跑分可以看出，骁龙 8 Gen 3，CPU单核提升约 11.4%，多核提升约 26.3%。
❷【骁龙 8 Gen 3标准款】
◇ 型号：SM8650-AB；
◇ 制成工艺：台积电N4P；
◇ CPU：采用1×3.19GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+5×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）；
◇ GPU：Adreno 750；
◇ 三级缓存：10MB（骁龙 8 Gen 2：8MB）
◇ 标准款CPU跑分：GB5（单核1700±/多核6600±）／GB6 （单核2200±/多核7000±）
◇ 标准款GPU跑分：GFX ES3.1•280FPS±（骁龙 8 Gen 2：220FPS±）
——测试平台红魔9。
◇ 发布日期：高通已经宣布了 2023 年 Snapdragon 峰会，将于 10 月 24 日至 26 日举行，预计将发布全新的骁龙 8 Gen 3 芯片。
5 月 29 日消息，Arm 公司今天发布了 2023 年的移动处理器核心设计：Cortex-X4、A720 和 A520。
——以上核心基于 Arm v9.2 架构，仅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位应用。
【Cortex-X4超大核】
◇ 定位旗舰，相较前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同频功耗降低了 40% ！
◇ 物理尺寸 进一步增加，但不足10%。
◇ L2 缓存大小来到2MB，进一步提高实际性能收益。
◇ IPC 改进平均为 +13%。
◇ 算术逻辑单元 (ALU) 从 6 个增加到 8 个，添加了一个额外的分支单元（总共 3 个），添加了一个额外的乘法累加器单元，以及流水线浮点和平方根运算。
【Cortex-A720性能核】
◇ 相较前代 A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。
◇ 同屏性能提高15%，极限性能提升4.5%。
◇ 缩短流水线长度，优化分支预测，以及流水化了浮点除法和平方根运算。
【Cortex-A520能效核】
◇ 相较前代 A510 核心在相同性能下，运行效率提升 22%。
◇ 极限性能提高8%
◇ A520 核心采用合并核架构，可以在一个复合体中共享 L2 缓存、L2 转换后备缓冲区和向量数据通路。A520 核心在前端也优化了分支预测，并移除或缩减了一些性能特性。
Arm 公司表示，这些新的 CPU 核心设计是为了应对移动设备市场的需求变化，不仅要追求更高的性能，还要考虑更好的效率、安全性和可扩展性。随着 Android 系统对 64 位应用的要求越来越严格，Arm 公司认为 64 位过渡已经“完成任务”，不再需要支持 32 位应用。
