三星 Galaxy S24 Ultra，高清渲染公布：超窄边宽直屏设计，李...

8 月 26 日消息，前些日，数码博主 i 冰宇宙在微博展示了三星 Galaxy S24 Ultra 等产品的高清渲染图。

i 冰宇宙表示三星 Galaxy S24 是李一焕操刀的第一版设计。

——细节上采用 79mm的 超宽机身，钛合金边框以及超窄边直屏设计。

该博主还公布了三星 Galaxy S24 Ultra、iPhone 15 Ultra 和 iPhone 14 Pro 的高清渲染对比图。

详细配置方面，就现有爆料汇总如下：

◇ 处理器：高通 骁龙 8Gen3；

◇ 屏幕：窄边框 LTPO 直屏；

◇ 后置：200MP主摄（1/1.3•OIS）+12MP超广角（1/2.55•OIS）+10MP（1.12•10X•OIS）+50MP长焦（1/2.52 英寸•0.7μm•OIS•3X）；

——10 倍长焦，主摄和超广角，硬件传感器不变。

◇ 电池容量：5000mAh+45W有线；

◇ 机身设计：机身变短变宽厚度变薄，摄像头凸起 2mm 左右。重量变动极小，采用钛金属中框。

◇ 操作系统：Android 14。

骁龙 8 Gen 3方面，根据此前爆料汇总如下：

❶【骁龙 8 Gen 3For Galaxy•高频版】

◇ 编号：SM8650-AC；

◇ 制成工艺：台积电N4P；

◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）；

◇ GPU：Adreno 750；

——具体规格配置基于，Geekbench 6平台，三星 Galaxy S24 Plus现有跑分，如下图所示：

对比，此前收录的三星 Galaxy S23 Plus，骁龙 8 Gen 2高频版，跑分可以看出，骁龙 8 Gen 3高频版，CPU单核提升约 11.4%，多核提升约 26.3%。

❷【骁龙 8 Gen 3标准款】

◇ 型号：SM8650-AB；

◇ 制成工艺：台积电N4P；

◇ CPU：采用1×3.19GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+5×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）；

◇ GPU：Adreno 750；

◇ 标准款CPU跑分：GB5（单核1700±/多核6600±）／GB6 （单核2200±/多核7000±）

◇ 标准款GPU跑分：GFX ES3.1•280FPS±（骁龙 8 Gen 2：220FPS±）

——测试平台红魔9。

◇ 发布日期：高通已经宣布了 2023 年 Snapdragon 峰会，将于 10 月 24 日至 26 日举行，预计将发布全新的骁龙 8 Gen 3 芯片。

5 月 29 日消息，Arm 公司今天发布了 2023 年的移动处理器核心设计：Cortex-X4、A720 和 A520。

——以上核心基于 Arm v9.2 架构，仅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位应用。

【Cortex-X4超大核】

◇ 定位旗舰，相较前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同频功耗降低了 40% ！

◇ 物理尺寸 进一步增加，但不足10%。 

◇ L2 缓存大小来到2MB，进一步提高实际性能收益。

◇ IPC 改进平均为 +13%。

◇ 算术逻辑单元 (ALU) 从 6 个增加到 8 个，添加了一个额外的分支单元（总共 3 个），添加了一个额外的乘法累加器单元，以及流水线浮点和平方根运算。

【Cortex-A720性能核】

◇ 相较前代 A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。

◇ 同屏性能提高15%，极限性能提升4.5%。

◇ 缩短流水线长度，优化分支预测，以及流水化了浮点除法和平方根运算。

【Cortex-A520能效核】

◇ 相较前代 A510 核心在相同性能下，运行效率提升 22%。

◇ 极限性能提高8%

◇ A520 核心采用合并核架构，可以在一个复合体中共享 L2 缓存、L2 转换后备缓冲区和向量数据通路。A520 核心在前端也优化了分支预测，并移除或缩减了一些性能特性。

Arm 公司表示，这些新的 CPU 核心设计是为了应对移动设备市场的需求变化，不仅要追求更高的性能，还要考虑更好的效率、安全性和可扩展性。随着 Android 系统对 64 位应用的要求越来越严格，Arm 公司认为 64 位过渡已经“完成任务”，不再需要支持 32 位应用。