PW60R017C7英飞凌MOS管、ASEMI一级代理商、原装现货IPW60R017C7

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IPW60R017C7英飞凌MOS管、ASEMI一级代理商、原装现货IPW60R017C7

型号：IPW60R017C7

品牌：Infineon/英飞凌

封装：TO-247

最大漏源电流：495A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：17mΩ

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管

工作结温：-55~150

IPW60R017C7场效应管

IPW60R017C7的电性参数：最大漏源电流495A；漏源击穿电压650V、RDS（ON）Max：17mΩ

如有需要请联系：强元芯电子（广东）有限公司，强元芯电子是英飞凌原厂代理商。或关注微信公众号：ASEMI强元芯电子

 ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI官网都有详细介绍。