基本半导体开设“SiCer小课堂”专栏，定期为攻城狮盆友们分享碳化硅技术与知识，今天我们来聊聊硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动。

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下：

01 开通关断

       对于全控型开关器件来说，配置合适的开通关断电压对于器件的安全可靠具有重要意义：

1）硅IGBT：各厂家硅IGBT对开通关断电压要求一致：

• 要求开通电压典型值15V；

• 要求关断电压值范围-5V~-15V，客户根据需求选择合适值，常用值有-8V、-10V、-15V；

• 优先稳定正电压，保证开通稳定。

2）碳化硅MOSFET：不同厂家碳化硅MOSFET对开关电压要求不尽相同：

• 要求开通电压较高22V~15V；

• 要求关断电压较高-5V~-3V；

• 优先稳负压，保证关断电压稳定；

• 增加负压钳位电路，保证关断时候负压不超标。

02 短路保护

       开关器件在运行过程中存在短路风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。

1）硅IGBT：

      硅IGBT的承受退保和短路的时间一般小于10μs，在设计硅IGBT的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。

 2）碳化硅MOSFET

一般碳化硅MOSFET模块短路承受能力小于5μs，要求短路保护在3μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路，短路保护最短时间限制在1.5μs左右。

03 碳化硅MOSFET驱动的干扰及延迟

1）高dv/dt及di/dt对系统影响

在高压大电流条件下进行开关动作时，器件开关会产生高dv/dt及di/dt，对驱动器电路产生影响，提高驱动电路的抗干扰能力对系统可靠运行至关重要，可通过以下方式实现：

• 输入电源加入共模扼流圈及滤波电感，减小驱动器EMI对低压电源的干扰；

• 次边电源整流部分加入低通滤波器，降低驱动器对高压侧的干扰；

• 采用共模抗扰能力达到100kV/μs的隔离芯片进行信号传输；

• 采用优化的隔离变压器设计，原边与次边采用屏蔽层，减小相互间串扰；

• 米勒钳位，防止同桥臂管子开关影响。

2）低传输延迟

通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号延迟时间。碳化硅MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns，传输延迟抖动小于20ns，可通过以下方式实现：

• 采用数字隔离驱动芯片，可以达到信号传输延迟50ns，并且具有比较高的一致性，传输抖动小于5ns；

• 选用低传输延时，上升下降时间短的推挽芯片。

       总之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了更高要求，为了让碳化硅MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。

接下来介绍基本半导体碳化硅功率器件系列产品

碳化硅肖特基二极管

基本半导体自主研发各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管，具有反向漏电流低、正向导通压降低、抗浪涌电流能力高、无反向恢复现象等特点，性能达到行业先进水平，广泛应用于光伏储能、轨道交通、工业控制、智能电网等领域。

碳化硅MOSFET

基本半导体自主研发的750V、1200V 碳化硅MOSFET具有导通电阻低、温度特性优良和开启电压高等特点，可降低器件损耗，提升系统效率，适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、充电桩、车载电源、太阳能逆变器、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

汽车级全碳化硅功率模块

基本半导体针对新能源汽车主逆变器应用需求，自主研发半桥模块Pcore™2、三相全桥模块Pcore™6、塑封半桥模块Pcell™系列汽车级碳化硅功率模块产品，通过提升动力系统逆变器的转换效率，同时缩小体积、降低重量，进而显著提高新能源汽车的能源效率和续航里程。该系列产品采用全银烧结的工艺，具有高功率密度、高可靠性、低模块内部寄生电感、低热阻的特性，产品性能达到行业领先水平。

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