HMC787ALC3B
HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。
HMC787AG（芯片）
HMC787AG是一款通用型双平衡混频器，可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。
HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。
应用
微波无线电
工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
测试设备和传感器
军用最终用途
HMC787ALC3B
转换损耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）
本振(LO)至射频(IF)隔离：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）
RF至中频(IF)隔离：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）
输入三阶交调截点(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）
输入1 dB压缩点(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）
输出二阶交调截点(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）
无源双平衡拓扑结构
宽IF频率范围：DC至4 GHz
12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装
HMC787AG（芯片）
下变频器
变频损耗
8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
LO至IF隔离
44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
RF至IF隔离
21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
输入IP3
22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
输入P1dB
15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
无源双平衡拓扑结构
宽IF频率范围：DC至4 GHz
6焊盘、裸片[芯片]
LTC5549
LTC5576
ADRF6658
HMC218B
LTC5577
HMC1106-Die
LTC5510
LTC5551
LTC5569
HMC1081
LTC5567
HMC1048A
LTC5544
LTC5590
LTC5592
LTC5593
LTC5591
ADL5801
LTC5540
LTC5542
ADL5802
HMC213B
MAX2044
LT5578
MAX2042A
HMC774A-Die
