制程无极限，为 1nm 作准备，台积电预大量添置最先进的 High-NA EUV 光刻机

早前有消息指台积电（TSMC）正在筹集更多资金，目的是向 ASML 购入更多更先进制程的 EUV 光刻机，而这些都是为了新制程做好准备。

在不久前欧洲微电子研究中心（IMEC）的CEO 在线上演讲中表示，在与 ASML 的合作下，更先进的光刻机已经取得了重大进展。同时透露 IMEC 的目标是将下一代高解像度 EUV 光刻技术（High-NA EUV）商业化。由于此前的光刻机竞争对手早已陆续退出市场，目前 ASML 可以说是把握着全球主要的先进光刻机产能。近年来，IMEC 一直与 ASML 研究新的 EUV 光刻机，目前目标是将制程推进到 1nm 及以下。

目前 ASML 已经完成了 NXE: 5000 系列的 High-NA EUV 曝光系统基本设计，至于设备的商业化。最快要到 2022 年，而待台积电与三星取到设备，大约要到 2023 年。与此同时，台积电在材料上的研究，亦让 1nm 成为可能。台积电和交大联手，开发出全球最薄，厚度仅有 0.7nm 的超薄2D 半导体材料绝缘体，可望借此进一步开发出 2nm 甚至 1nm 的电晶体通道。

据悉，台积电正为 2nm 后的先进制程持续寻找设厂地域，包括桥头科、路竹科，这些均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。