IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q

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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q

型号：IXFH4N100Q

品牌：IXYS/艾赛斯

封装：TO-247

最大漏源电流：4A

漏源击穿电压：1000V

RDS（ON）Max：3Ω

引脚数量：3

工作温度：-55℃~150℃

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

IXFH4N100Q特点

低栅极电荷和电容

-更易于驾驶

-更快的切换

国际标准包装

RDS低（打开）

无阻尼感应开关（UIS）

额定的，额定的

可燃性分类

IXFH4N100Q概述：

IXFH4N100Q是最受欢迎的功率MOSFET适用于硬开关和谐振模式应用，提供低栅极电荷和快速本征二极管的优异耐用性。有许多标准工业包装可供选择，包括隔离型。