骁龙 8 Gen 4 for Galaxy 芯片使用三星 3GAP 工艺量...

5 月 19 日消息，根据 Revegnus（Tech_Reve）分享的推文消息，高通骁龙 8 Gen 4 处理器将采用台积电的 3nm 工艺（N3E）；而骁龙 8 Gen 4 for Galaxy 处理器采用三星的 3nm GAP 工艺。

此外，根据Revegnus（Tech_Reve）和数码闲聊站此前分享的消息，标准版高通骁龙 8 Gen 4 将有两个“Nuvia Phoenix”性能核心和六个“Nuvia Phoenix M”效率核心。其中 Nuvia 是高通收购、用于开发定制 CPU 的公司名称。

Revegnus 在推文中表示，高通骁龙 8 Gen 3 在 Geekbench 5 基准测试中，单核性能为 1800 分，多核性能为 6500 分。

而高通骁龙 8 Gen 4 在 GeekBench 5 基准跑分测试中，单核性能为 2070 分，多核性能为 9100 分。

——在相同测试中，高通骁龙 8 Gen 4 的多核成绩可以超过 M2。目前 M2 在 GeekBench 5 中多核得分在 8800 到 9000 分之间。

新一代高通骁龙 8 Gen 4 将基于台积电 N3E 工艺制造。此前还有消息称高通在骁龙 8 Gen 4 处理器上弃用了 ARM 的 CPU 设计，转而使用自家定制的 Oryon 核心方案，多核性能最高可以提升 40%。