不服输！中国刚突破128层QLC闪存，三星曝光将首发160层闪存

上周，中国长江存储公司就宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型的内存容量做到了1.33Tb容量，一举创下了三个世界第一。有这样的表现，无疑暗示了国产闪存的突飞猛进，甚至有望在国际上展露头角。

不过作为顶尖内存企业的三星等公司显然不甘落后，近日就有消息曝光，三星正在着手开发160层堆栈的3D闪存。对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，而在长江存储公司攻克128层3D闪存技术后，三星曝出如此大的料，无疑宣告了它在内存领域上的地位。而据相关的数据报告显示，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。

不过每家的技术方案不同，东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的，美光、SK海力士有128层的，Intel的是144层，而且是浮栅极技术的，三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。