RC Cornor
01
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Interconnect Net
互联线直接影响cell delay、energy consumption、power distribution、noise等等。
互联线的电阻和电容大小的计算直接影响sta的结果。
为提高interconnect net的准确性,需要使用不同的model进行参数提取。
02
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Capacitance & Resistance计算
Capacitance 计算:
Cc: 相邻金属线(黄色和绿色)的耦合电容[coupling capacitance]
Cat: middle wire(黄色)和top wire(棕色)的面积电容 [area capacitance]
Cab: middle wire(黄色)和bottom wire(蓝色)的面积电容 [area capacitance]
Cft: middle wire(黄色)侧面和top wire(棕色)的边侧电容 [fringe capacitance]
Cfb: middle wire(黄色)侧面和bottom wire(蓝色)的边侧电容 [fringe capacitance]
Csum = (Cat+ 2*Cft)+ (Cab + 2*Cfb) + 2*Cc [黄色金属总电容]

area capaccitance per unit length = k*(width of metal)/(thickness of dielectric) = k*W/H
coupling capacitance per unit length = k*(thickness of metal)/(spacing between metal wires) = k*T/S

随着工艺特征尺寸的减小,金属线宽度减小,面积电容减小,金属线间距减小,耦合电容增加,金属线厚度减小,耦合电容减小。金属线厚度相比于间距减小幅度小,所以工艺特征尺寸的减小会使得金属线耦合电容占比增加。
Resistance 计算:
随着工艺特征尺寸的减小,金属线的宽度和厚度都在减小,这使得单位长度的电阻阻值增加。
03
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R与C的关系
一般情况下,如果电阻阻值很大则电容值会很小,如果电阻阻值很小则电容值会很大。

由上面公式可知:单位长度net的R*C只与金属层的导电系数、介质介电常数,金属层宽度和厚度相关,且与金属线长度的平方成正比,这说明金属线越长,R*C的数值增加的越大。
需要注意:当考虑耦合电容时,单位net长度的RC并不是固定值,具体参见05。
04
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什么是C Corner
在90nm之前的工艺节点,cell delay占主导作用 (net delay可以忽略,或者可以只考虑对地电容就满足要求),耦合电容对delay的影响可以忽略。
一般C Corner主要考虑两种: Cbest和Cworst
Cbest (Cmin): 电容最小,电阻最大,对于short nets来说,有最小的delay,可以用于min-path-analysis。
Cworst (Cmax): 电容最大,电阻最小,对于short nets来说,有最大的delay,可以用于max-path-analysis。
05
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什么是RC Corner?
在90nm之后,net delay占比增加,耦合电容对delay的影响不能忽略。在Cbest和Cworst的基础上增加了RCbest和RCworst Corner。
RCbest(xtalk corner): (对地电容+耦合电容)*电阻最小,耦合电容最小,电阻最小,对于long nets来说,有最小的delay,可以用于min-path-analysis。
RCworst(delay corner): (对地电容+耦合电容)*电阻最大,耦合电容最大,电阻最大,对于long nets来说,有最大的delay,可以用于max-path-analysis。

06
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为何setup只需要两个corner, hold需要四个corner?
Setup RC Corner: Cworst和RCworst
Hold RC Corner: Cbest、RCbest、Cworst和RCworst
C corner和RC corner的主要区别:不仅考虑金属线宽变化和线高变化的影响,还需要考虑线与线之间的间距和上下金属层厚度的影响,即考虑耦合电容的影响。


在STA分析过程中,delay包含两部分:cell delay和net delay。

分析下表可知:如果分析max_delay,只需要分析Cworst和RCworst Corner就可以了,因为Cworst Corner可以cover RCbest Corner,RCworst Corner可以cover Cbest Corner。
分析下表可知:如果分析min_delay,则必须要分析所有的四个corner,因为这四个corner之间不能相互corner。



07
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什么是CC Corner?
在DPT(double patterning technology)工艺中,由于有些低层layer需要两张mask,两张mask之间会产生偏差,这会导致线间距发生变化,影响耦合电容值的变化。
DPT工艺下的RC Corner:
Setup RC Corner: Cworst_CCworst和RCworst_CCworst
Hold RC Corner: Cbest_CCbest、RCbest_CCbest、Cworst_CCworst和RCworst_CCworst
08
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什么是“_T” Corner?
"_T"代表tight corner, RC的variation sigma (一般为1.5sigma)分布比不带T(一般为3sigma)更集中,这可以减少interconnect pessimism。如下图黄色区域所示为“_T” corner与蓝色区域不带“_T” corner的对比。
“_T” corner一般只用于setup timing分析。
如下图所示:以rc_worst和rc_worst_T为例:rc_worst_T相比于rc_worst,每条net的电容增加,电阻减小,电阻*电容减小。

