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(实战版)vasp过渡态优化经验(一)

2023-04-03 18:03 作者:星空下的小小问号  | 我要投稿

    ps:过渡态的搜索一直是理论模拟计算人员头疼的问题。在今年的计算遇到大量问题后,简单回顾过去一年的计算经历,虽然知识和能力提升了很多,也有了自己的paper,但是没有把经验、心得等记录下来。这导致了我在之后的计算遇到了问题后,有时意识到这个问题以前有过一个感悟,但就是想不起来,最后绕了一大圈弄完了之后终于想起来了。另外这一年有很多我想记录的事现在也很多记不起来了。所以今天开始会不定时更新一些。

(一)

1:先检查初末态结构是否为势能面连续的两个极小值点,如果不是,新增加结构优化计算,找到中间的谷点(可以利用CINEB中间的那种比初末态能量都低的点)。当已经完成了粗收敛计算或者说精收敛计算失败后,如果回过来发现初末态不连续时,不要来不来就重来,先看下粗收敛、精收敛过程中有没有可以用improved dimer method(IDM)接着跑的点(离过渡态比较近),如果有,选出那个点用IDM进行过渡态搜索可补救,因为IDM是单点计算,很多时候可以避开不连续的影响。

2:CINEB计算某基元反应出问题时,先去查看下当初插点时的那几个文件(插点方法是不是idpp,距离与插点数之间是否合理),有些时候插点数不够会导致过渡态难以搜索到。

3:检查出问题的这个基元反应的各个精度下的结构(一般粗收敛都能收敛,出问题在精收敛):

(1)如果最开始插点后的结构合理,但粗收敛后的结构不合理

    在插点数合理的情况下,直接用CINEB跑可能就比较难。当然,不排除后面用CINEB能重新跑到合理位置。但是这时可以考虑IDM这个方法。可以先跑一两个电子自洽,保留WAVECAR与CHGCAR,然后再用IDM接着跑。建议初次使用时由于不清楚IDM是不是体系,因此第一个IDM用较为粗的精度,然后在这基础上逐渐升高,直至找到在满足领域内适合的精度。

(2)如果最开始插点后的结构合理,但粗收敛后的结构合理,但精优化过程中出现了结构不合理或者偏离。

    这种说明可以利用CINEB快速粗收敛,但是想精收敛比较困难,原因可能有许多(反应不连续、初末态不合理等等)(以后有时间出一期过渡态优化收敛失败专栏),这时可以将CINEB粗收敛后的结构接着用IDM方法进行优化

4:注意!

     IDM方法不适用于羟基的脱除,我猜测可能是IDM方法不适用于这种两个原子同时“脱除”的基元反应

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