半导体材料检测专业机构

半导体行业的材料产出与材料品质需经过多道精密的检测步骤，其中英格尔半导体离子质谱仪可提供专业帮助。当前英格尔离子质谱仪（TOF-SIMS）具备针对微区有机污染分析手段与能力，在发生PCB表面异常情况下，通过英格尔丰富的数据库进行对比可掌握污染物成分，实施污染物辨别技术判断来源可能。

（1）PCB上的硅油残留污染分析

英格尔检测：硅油具有绝缘介质的特性，广泛运用于电子制程中，通常需要专门的清洗剂来做清洁，若有未清洗完全的硅油残留在印刷电路板表面，则会造成后续制程不良的发生，例如：吃锡不良、灌封胶无法覆着等。

图三：英格尔—— 硅油（Silicon Oil）污染的TOF-SIMS表面质谱图

（2）TFT 面板的表面成份分布

TFT array面板经过多道半导体制程后会形成最后的驱动电极，英格尔TOF-SIMS的表面影像分析模式（Ion Image）具备清晰的离子成像功能，适合直接观察TFT Array电极的分布情况。

图四：英格尔——TFT电极成份的TOF-SIMS离子影像图

图四即是TOF-SIMS针对面板表面电极的离子影像图，根据铝（Al）、钛（Ti）、钼（Mo）、银（Ag）、硅（Si）等元素，挑选其中三种离子讯号制作迭图影像，并用不同颜色分别代表不同离子，直接观察玻璃基板上的各种金属膜及半导体层的分布位置。

（3）SiON 薄膜纵深分析

氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON）具有良好的光学特性，其折射在氮化硅Si3N4和二氧化硅SiO2之间，广泛应用于光学组件。

图五：英格尔—— SiON薄膜厚度的TOF-SIMS纵深分布图

图五显示了TOF-SIMS的纵深分析图，利用纵深分析模式（Depth Profile）观察SiON薄膜中的氧及氮讯号的分布曲线，可以得出氧化硅及氮氧化硅层的厚度，待测物应该是11 nm的SiO2/SiON/Si的双层膜材料。

不论是半导体硅油残留污染分析，还是TFT电极成份离子质谱仪离子影像分析技术以及 SiON薄膜厚度的离子质谱仪纵深分布研究，都是查验半导体离子质谱表面污染的重要技术手段。从英格尔离子质谱仪表面质谱图可了解到电极分布情况；从英格尔面板表面电极的离子影像图可了解到异样残留；从TOF-SIMS的纵深分析图可了解到硅层的厚度。英格尔检测作为在专业的第三方机构，可为企业提供一站式半导体检测服务，详情可点击英格尔官网进行咨询。