MMDB35-0402

硅阶跃恢复二极管

与封装或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二极管具有低电容、非常快的转换时间和低电感以及低寄生电容。快速转换时间使这些器件可用于 40 GHz 及更高频率的快速采样栅极驱动器、倍频器和梳状发生器。www.jchxdz.com

特征

• 低电感

• 50 个系统中的转换时间降至 30 皮秒

• 坚固的梁引线结构

• 氧化物和聚酰亚胺钝化

产品规格

• 零件号

• MMDB35-0402

• 描述

• 硅阶跃恢复二极管

• 寿命(ns)

• 4个

• 反向电压，最小值 (V)

• 16

• Tt(pS)

• 0

• 总电容最小值 (pF)(pF)

• 0.20

• 总电容最大值 (pF)(pF)

• 0.30

• 包裹

• 402

• 包裹类别

• 表面贴装

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