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2023.6.14-固体理论最后一课-Mott绝缘体等高温超导相关

2023-06-14 20:16 作者:紧扣的dagger 0人读过 | 我要投稿

*标记：这是一篇值得回看的笔记！

算出d-wave DOS的V”shape gap。

能隙大小测量、相当经典的两个相位敏感实验及一些窄带电子局域化及电子关联的argue。

Hubbard模型和大U极限下，电子的电荷局域特征，自旋能够通过如图高阶过程发生，forbidden态其实可以作为中间态短暂存在，寿命极短。

算出来了交换能J和hoping的概率t还有在位能U的关系。

来看看如何从Hubbard模型到Mott绝缘体，在能带理论中，半填充原本是对应的金属，但是在这里却是绝缘体的理由，为何分离出上下Hubbard band，在此处及下一页的Green function理论中推导。

推导出了Mott绝缘体的DOS，存在gap的特征。大U极限下的Hubbard模型严格可解。也提供了更加物理的视角来简单看待这一大U极限下的Hubbard模型。

加入投影算符的t-J model看似禁止了单格点位置被占据两个电子的情形（大U），后面的一项是类Heissenberg的哈密顿量。谈论Hole-doping HTSC phase diagram的各个区域，先说了FL，从散射概率计算上说明了Fermi sphere深处的电子寿命极长，难以激发到Fermi sphere外部。也说明了更为重要的，电阻率ρ正比于T²的FL特征。

Strange metal 的电阻率正比于温度，赝能隙的一个特征是Fermi Arc（或者Fermi pocket），这是一个有争论的问题，需要空穴型的激发谱去敲定，但是逆向ARPES的那个仪器分辨率目前没有ARPES高，听说能量分辨率在eV量级。

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