《炬丰科技-半导体工艺》0.15 µm 氮化镓 (GaN) 微波集成电路设计

摘要：图 1 显示了第一个芯片布局图，其中包括一个宽带高三阶截取低噪声放大器(LNA)、一个 30-GHz 单级 PA、两个并联组合的 30-GHz PA，以及两个版本的45GHz 单级 PA。

图 2 显示了 Caroline Waiyaiki 在 30 GHz PA 中的两个并联高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的谐波功率组合器、用于单个一级 PA 的测试单元以及包含在先前芯片上的宽带 LNA。

以下是每个芯片布局中的放大器设计列表：

• CKT1—0.3-mm，30-GHz PA；0.6-mm 并联组合 30-GHz PA；两个版本的 0.2-mm、45-GHz PA；和宽带高 IP3 LNA。（2.5 毫米 x 2 毫米芯片）

• CKT2—0.2-mm，30-GHz PA；0.4 毫米、30 GHz 功率放大器；0.8-mm 并联组合 30-GHz PA；和宽带高 IP3 LNA。（2.5 毫米 x 2 毫米芯片）

CKT1 中的前两个 30-GHz PA 之前已记录在案。45 GHz PA 的两种不同变体将在另一份技术报告中记录，同样适用于宽带高 IP3 GaN LNA。

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