MAVR-000120-14110P

GaAs超突变

MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一种砷化镓倒装芯片超突变变容二极管。该器件是在 OMCVD 外延晶圆上制造的，采用专为实现高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺。该二极管已用氮化硅完全钝化，并具有额外的聚酰亚胺层以防止划伤。保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏接头。倒装芯片配置适用于拾取和放置插入。

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特征

• 过去 70GHz 可用

• 可以用焊料或导电环氧树脂安装。

• 可承受 500 次温度循环（-65 摄氏度至 +150 摄氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安装，无机械退化。

• 提供口袋胶带和卷轴。

• 无铅（符合 RoHs 标准）

• 表面贴装配置

• 聚酰亚胺划痕保护

• 氮化硅钝化

• 高Q值

• 低寄生电容

• 用于线性调谐的恒定伽玛

产品规格

• 零件号

• MAVR-000120-14110P

• 描述

• GaAs超突变

• 伽马

• 1.00

• 总电容(pF)

• 0.350

• 品质因数 @ 50 MHz，最小值

• 3000

• 击穿电压(V)

• 20

• 包裹

• 倒装芯片芯片

• 包裹类别

• 可焊表面贴装芯片

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