氮化镓（GaN）外延行业数据分析，预计2029年将达到1,657.27百万美元

恒州博智调研发布的电子行业报告针对氮化镓（GaN）外延行业数据分析，本报告研究全球与中国市场氮化镓（GaN）外延的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及全球和中国市场主要生产商的市场份额。历史数据为2018至2022年，预测数据为2023至2029年。

外延片指在单晶衬底上生长一层新单晶形成的产品，外延片决定器件约70%的性能，是半导体芯片的重要原材料，外延片作为半导体原材料，位于半导体产业链上游，是半导体制造产业的支撑性行业。外延片制造商在衬底材料上通过CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）设备、MBE（Molecular Beam Epitaxy，分子束外延）设备、HVPE设备等进行晶体外延生长、制成外延片。外延片再通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等制造环节制成晶圆。晶圆再被进一步切割成为裸芯片，裸芯片经过于基板固定、加装保护外壳、导线连接芯片电路管脚与外部基板等封装环节，以及电路测试、性能测试等测试环节最终制成芯片。上述芯片生产环节均需与芯片设计环节保持互动，以确保最终芯片满足芯片设计需求。

基于氮化镓的性能，氮化镓外延片主要适用于高功率、高频率、中低电压下的应用场合，具体体现在：1）高禁带宽度：高禁带宽度使得氮化镓器件耐压水平提高，可以输出比砷化镓器件更高功率，特别适合5G通讯基站、军用雷达等领域；2）高转换效率：氮化镓开关电力电子器件的导通电阻比硅器件低3个数量级，能明显降低开关导通损耗；3）高热导率：氮化镓的高热导率使其具备优良散热性能，适合用于大功率、高温度等领域器件的生产；4）击穿电场强度：虽然氮化镓的击穿电场强度与氮化硅接近，但受半导体工艺、材料晶格失配等因素影响，氮化镓器件的电压耐受能力通常在1000V左右，安全使用电压通常在650V 以下。

氮化镓（GaN）外延行业目前现状分析

全球氮化镓（GaN）外延市场规模及预测

2022年全球氮化镓（GaN）外延市场销售额达到了469.4百万美元，预计2029年将达到1,657.27百万美元，年复合增长率（CAGR）为19.89%（2023-2029）。未来几年，本行业具有很大不确定性，本文的2023-2029年的预测数据是基于过去几年的历史发展、行业专家观点、以及本文分析师观点，综合给出的预测。

按照衬底类型，包括蓝宝石基，硅基，碳化硅基和氮化镓基等。全球硅基氮化镓外延片收入市场份额2022年为36.78%，碳化硅基和氮化镓基外延片成本较高。随着国内外延生长技术的进步和应用技术不断开发，碳化硅基和氮化镓基外延片的应用正在逐步扩大。

从产品市场应用情况来看，包括光电，电子和电力和微波射频。其中主要应用是光电领域，2022年全球销量市场份额占比48.88%。从产品应用收入的角度来看，微波射频领域占据最大的市场份额，2022年全球收入市场份额占比46.16%。射频器件包括射频开关和LNA，射频PA，滤波器，天线Tuner等。得力于5G基站的建设高潮，汽车电子、激光雷达以及消费电子的快速增长，无论是硅基氮化镓在功率领域，或者碳化硅基氮化镓在射频领域的应用，未来都会出现较大增长。

目前全球主要厂商位于美国，欧洲，中国和日本。包括NTT AT，晶湛半导体，Wolfspeed，Sumitomo，EpiGaNa等。中国主要厂商为晶湛半导体，江苏能华和苏州纳维科技。预计未来几年行业竞争将更加激烈，尤其在中国市场。

氮化镓 (GaN)外延片价格差异较大，从几百美金币到上千美金不等，蓝宝石衬底氮化镓外延片的一般几百美金，碳化硅衬底和氮化镓衬底的外延片价格可以达到两千美金以上，另外价格也与应用领域等有关。

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