广东瑞乐-晶圆测温的基本操作

伴随着半导体业的不断进步，对高性能、降低成本和适用范围广的热电偶技术的需要也随之增加。而晶圆热电偶属于一种现代化的热电偶技术，它在半导体工艺中的运用越来越普遍。晶圆测温是在半导体制造和相关领域中非常重要的一项操作，用于监测晶圆表面温度。温度变化会直接影响晶片的质量和性能。下面简单介绍一下晶圆测温的基本流程：

1.     准备工作：确认晶圆测温设备和传感器能够正常工作，这里我们一般配合使用快速退火炉作为晶圆测温设备，晶圆测温传感器材我们选用TC Wafer。我们需要对测试设备进行维护和校准，确保测量的准确性。在进行测试之前需要清洁和检查晶圆表面是否有损坏或者残留异物。如晶圆需要支架或载盘支持，需要注意位置安装是否对齐。

2.     开启测温设备：将TC Wafer置入退火炉腔体内并固定。按照设备使用手册，打开测温设备，等待设备初始化完成，准备进行温度测量。

3.     晶圆预热：通常情况下在测试之前均需要对晶圆进行预热处理，这样才能确保晶圆表面温度均匀。

4.     设置参数测温：根据晶圆材料和处理要求，设置合适的退火温度、时间、气氛等参数。设置好参数后才能正式进行退火和晶圆测温，正确选择测量模式和参数，确保设备能够正常且稳定地运行。

5.     监测与记录：在测量过程中，密切监控测量结果。确保测量值的稳定性和准确性。尽量避免晃动传感器或晶圆，以免干扰测量结果。记录测量结果，并标注测量时间、位置等相关信息。不同位置和时间的测量结果可以用于后续分析和比较。

6.     关闭测温设备：测试结束后需要按照设备操作要求关闭设备，同时需要进行设备的清理和维护，如此设备才能长久且稳定的运行下去。操作全程皆需注意安全防护，如穿戴防护手套和护目镜。在操作结束后等待晶圆冷却后再进行进一步处理，以免晶圆受到突然温度变化的冲击，从而影响晶圆的质量和测温的标准。

以上流程覆盖了晶圆测温的关键步骤和注意事项，确保了准确、安全的测温操作。操作人员应严格遵循相关规程和设备厂商的指南，以确保测温过程的可靠性和稳定性。