NPT2024 第 4 代硅基氮化镓 (GaN on Si) 晶体管
NPT2024
NPT2024 是一种宽带晶体管,工作频率范围为 DC 至 2.7 GHz。它是第一款基于 MACOM 第 4 代硅基氮化镓 (GaN on Si) 工艺开发的晶体管。该工艺提供的性能可与昂贵的碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 相媲美,其预计批量生产成本结构低于现有 LDMOS 技术。NPT2024 支持 CW、脉冲和线性操作,输出功率水平高达 200 W (53 dBm)。该器件采用 50 V 工作电压,在 1.5 GHz 时提供 16 dB 增益的 CW 工作,以及 60% 的漏极效率。这种 GaN on Si HEMT D-Mode 晶体管非常适合国防通信、陆地移动无线电、航空电子设备、无线基础设施、ISM 应用和 VHF/UHF/L/S 波段雷达。

产品规格
产品详情
零件号
NPT2024
制造商
马康
描述
直流至 2.7 GHz GaN on Si 宽带晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
硅基氮化镓、氮化镓
应用行业
ISM、无线基础设施、航空航天与国防、雷达
应用
移动无线电、国防、通信、航空电子设备、WiMAX、WCDMA、LTE
连续波/脉冲
脉冲,连续波
频率
20 MHz 至 3 GHz
力量
47.24 分贝
功率(W)
52.97 瓦
获得
16分贝
电源电压
50 伏
包装类型
法兰
包裹
TO272
RoHS
是的
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