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NPT2024 第 4 代硅基氮化镓 (GaN on Si) 晶体管

2023-03-28 12:02 作者:聚成恒信  | 我要投稿

NPT2024

NPT2024 是一种宽带晶体管,工作频率范围为 DC 至 2.7 GHz。它是第一款基于 MACOM 第 4 代硅基氮化镓 (GaN on Si) 工艺开发的晶体管。该工艺提供的性能可与昂贵的碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 相媲美,其预计批量生产成本结构低于现有 LDMOS 技术。NPT2024 支持 CW、脉冲和线性操作,输出功率水平高达 200 W (53 dBm)。该器件采用 50 V 工作电压,在 1.5 GHz 时提供 16 dB 增益的 CW 工作,以及 60% 的漏极效率。这种 GaN on Si HEMT D-Mode 晶体管非常适合国防通信、陆地移动无线电、航空电子设备、无线基础设施、ISM 应用和 VHF/UHF/L/S 波段雷达。


 

产品规格

产品详情

  • 零件号

    NPT2024

     

  • 制造商

    马康

     

  • 描述

    直流至 2.7 GHz GaN on Si 宽带晶体管

     

 

一般参数

  • 晶体管类型

    HEMT

     

  • 技术

    硅基氮化镓、氮化镓

     

  • 应用行业

    ISM、无线基础设施、航空航天与国防、雷达

     

  • 应用

    移动无线电、国防、通信、航空电子设备、WiMAX、WCDMA、LTE

     

  • 连续波/脉冲

    脉冲,连续波

     

  • 频率

    20 MHz 至 3 GHz

     

  • 力量

    47.24 分贝

     

  • 功率(W)

    52.97 瓦

     

  • 获得

    16分贝

     

  • 电源电压

    50 伏

     

  • 包装类型

    法兰

     

  • 包裹

    TO272

     

  • RoHS

    是的



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