MP40N120-ASEMI高频变换器IGBT

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MP40N120-ASEMI高频变换器IGBT

型号：MP40N120

品牌：ASEMI

封装：TO-247

电流：40A

电压：1200V

正向电压：1.10V

恢复时间：

引脚数量：3

芯片个数：

芯片尺寸：

漏电流：

特性：IGBT管

工作温度：-55~+150℃

MP40N120沟槽栅场截止型IGBT

IGBT定义

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

ASEMI全系列封装图